カーボンナノチューブを用いた記憶素子

新発売!
発明屋記憶素子
ナノチューブリボン(電場応答素子)を撓ませる従来のタイプと比較して素子厚を小さくでき、構造も簡単です。

特許権をお譲りします。

【特許番号】特許第4843760号
【公開番号】特開2006-92746
【出願番号】特願2005-371606
【出願日】平成17年(2005)12月26日
特許公報はこちら→特許第4843760号

【要約】
【課題】カーボンナノチューブを用いて構造が簡単で寸法の小さい不揮発性の記憶素
子を実現する。
【解決手段】第1の電極13と第2の電極14との間に電場を発生させると、その電場に
応答してカーボンナノチューブからなる電場応答素子11が直線的に伸長し、第2の電極
14と接触する。その結果、両電極13、14が互いに導通する。この状態は、デジタル
信号の「1」を表す状態に対応する。電場応答素子11は、一旦変形すると、電力供給を
停止してもその状態を保つ。この状態は電場応答素子11と第2の電極14および絶縁層
12との間のファンデルワールス力によって保たれる。第1の電極13と第2の電極14
との間に逆向きの電場を発生させると、その電場に応答して電場応答素子11が縮長し、
第2の電極14から離れる。この状態は、デジタル信号の「0」を表す状態に対応する。

 詳しくは公開公報をご覧ください。→公開公報
 英語による説明があります。
 To English Page→発明屋別館→strage element
 nano.net(文部科学省)の世界のナノテク特許情報に登録されています。
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【CNTを用いる不揮発性記憶素子関連技術の他社出願例】
公開番号(出願人)
特開2007-134678(三星電子株式会社)←先願。本願と一部類似している。
特開2007-103529(富士通株式会社)←先願。本願と一部類似している。
特開2007-067374(三星電子株式会社)
特開2007-184614(三星電子株式会社)
特開2007-243175(三星電子株式会社)
特開2007-329500(三星電子株式会社)
特開2008-042170(三星電子株式会社)

「発明屋」は株式会社発明屋の登録商標です。
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by shimoochiai-hompo | 2006-02-07 17:34 | CNTを用いた記憶素子
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