カテゴリ:CNTを用いた記憶素子( 2 )

カーボンナノチューブを用いた記憶素子

新発売!
発明屋記憶素子
ナノチューブリボン(電場応答素子)を撓ませる従来のタイプと比較して素子厚を小さくでき、構造も簡単です。

特許権をお譲りします。

【特許番号】特許第4843760号
【公開番号】特開2006-92746
【出願番号】特願2005-371606
【出願日】平成17年(2005)12月26日
特許公報はこちら→特許第4843760号

【要約】
【課題】カーボンナノチューブを用いて構造が簡単で寸法の小さい不揮発性の記憶素
子を実現する。
【解決手段】第1の電極13と第2の電極14との間に電場を発生させると、その電場に
応答してカーボンナノチューブからなる電場応答素子11が直線的に伸長し、第2の電極
14と接触する。その結果、両電極13、14が互いに導通する。この状態は、デジタル
信号の「1」を表す状態に対応する。電場応答素子11は、一旦変形すると、電力供給を
停止してもその状態を保つ。この状態は電場応答素子11と第2の電極14および絶縁層
12との間のファンデルワールス力によって保たれる。第1の電極13と第2の電極14
との間に逆向きの電場を発生させると、その電場に応答して電場応答素子11が縮長し、
第2の電極14から離れる。この状態は、デジタル信号の「0」を表す状態に対応する。

 詳しくは公開公報をご覧ください。→公開公報
 英語による説明があります。
 To English Page→発明屋別館→strage element
 nano.net(文部科学省)の世界のナノテク特許情報に登録されています。
c0036012_17361678.gif

【CNTを用いる不揮発性記憶素子関連技術の他社出願例】
公開番号(出願人)
特開2007-134678(三星電子株式会社)←先願。本願と一部類似している。
特開2007-103529(富士通株式会社)←先願。本願と一部類似している。
特開2007-067374(三星電子株式会社)
特開2007-184614(三星電子株式会社)
特開2007-243175(三星電子株式会社)
特開2007-329500(三星電子株式会社)
特開2008-042170(三星電子株式会社)

「発明屋」は株式会社発明屋の登録商標です。
[PR]
by shimoochiai-hompo | 2006-02-07 17:34 | CNTを用いた記憶素子

カーボンナノチューブを用いた記憶素子

Nantero社の特許出願 
【発明の名称】ナノチューブリボンを利用した電気機械式メモリアレイ及びその製造方法
【公表番号】特表2005-502201
【出願番号】特願2003-525864
【優先日】平成13年7月25日
【出願人】
【氏名又は名称】ナンテロ,インク.
【発明者】
【氏名】シーガル,ブレント,エム.
【発明者】
【氏名】ブロック,ダレン,ケイ.
【発明者】
【氏名】ルイクス,トーマス
【要約】
メモリセル等の電気機械式回路及びその製造方法が開示されている。回路は導電トレースと、基板表面から延び出るサポートと、サポート間で懸垂され、導電トレースを横断するナノチューブリボンとを有した構造を含んでいる。それぞれのリボンはナノチューブを含んでいる。回路要素はそのような導電トレースとサポートを有した構造を提供することで製造される。ナノチューブ層はサポート上に提供され、ナノチューブ層の一部は選択的に剥離されて導電トレースを横断するナノチューブリボンを形成する。
動画

c0036012_15462493.gif
[PR]
by shimoochiai-hompo | 2006-02-05 12:09 | CNTを用いた記憶素子