カーボンナノチューブを用いた記憶素子

Nantero社の特許出願 
【発明の名称】ナノチューブリボンを利用した電気機械式メモリアレイ及びその製造方法
【公表番号】特表2005-502201
【出願番号】特願2003-525864
【優先日】平成13年7月25日
【出願人】
【氏名又は名称】ナンテロ,インク.
【発明者】
【氏名】シーガル,ブレント,エム.
【発明者】
【氏名】ブロック,ダレン,ケイ.
【発明者】
【氏名】ルイクス,トーマス
【要約】
メモリセル等の電気機械式回路及びその製造方法が開示されている。回路は導電トレースと、基板表面から延び出るサポートと、サポート間で懸垂され、導電トレースを横断するナノチューブリボンとを有した構造を含んでいる。それぞれのリボンはナノチューブを含んでいる。回路要素はそのような導電トレースとサポートを有した構造を提供することで製造される。ナノチューブ層はサポート上に提供され、ナノチューブ層の一部は選択的に剥離されて導電トレースを横断するナノチューブリボンを形成する。
動画

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by shimoochiai-hompo | 2006-02-05 12:09 | CNTを用いた記憶素子
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